采用世界領先的量子阱失序(Quantum well intermixing, QWI)設計技術，自主設計基于GaAs和InP的量子阱結構，制備單模激光器、DBR激光器、高頻鎖模激光器。 設計獨特的漸變波導、寬波導或非對稱波導結構，改善激光器的特性，降低量子阱激光器的閾值電流密度、增大光學限制因子，提高光束特性和端面光功率密度。設計合理的限制層進一步降低注入到有源區(qū)的一部分載流子通過擴散和漂移的方式越過限制層和波導層界面進入限制層形成的漏電流。量子阱和波導限制層結構的匹配設計，有效提高光電轉(zhuǎn)換效率，降低內(nèi)損耗，減小熱耗。
半導體激光器端面附近引入非注入?yún)^(qū)，可減少端面處的非輻射復合的發(fā)生。開發(fā)非泵浦窗設計和制備技術，降低端面非輻射復合的發(fā)生，提高激光器腔面的COD閾值。在硬件設施、技術實力和技術團隊方面均具有獨特的優(yōu)勢。擁有一整套處于國際領先技術水平的工藝平臺，自主開發(fā)晶圓的高對準精度技術，無應力刻蝕技術，超低歐姆接觸電阻技術，在線檢測技術，精細化的工藝技術，實現(xiàn)芯片制備的高重復性和穩(wěn)定性，降低半導體激光器在生產(chǎn)過程中造成的機械損傷，提高半導體激光器的成品率，降低半導體激光器的生產(chǎn)成本。
高質(zhì)量的外延生長技術，采用高性能商用MOCVD設備，通過自主開發(fā)新的外延生長技術，精準控制外延層厚度、組分及摻雜水平，嚴格控制材料缺陷，制備符合設計的高質(zhì)量GaAs和InP體系外延材料。生產(chǎn)的外延片產(chǎn)品表面外觀優(yōu)良，缺陷密度低，擁有高內(nèi)量子效率和光電轉(zhuǎn)換效率，同時擁有優(yōu)良可靠性和壽命屬性。通過PL、X-ray、ECV、SIMS等分析技術對外延材料的光學性能、均勻性、界面整潔性、摻雜分布、結構精確性以及缺陷密度等關鍵參數(shù)進行測試與表征，分析材料的腔內(nèi)損耗和內(nèi)量子效率，指導高質(zhì)量材料生長。
采用世界領先的量子阱失序(Quantum well intermixing, QWI)設計技術，自主設計基于GaAs和InP的量子阱結構，制備單模激光器、DBR激光器、高頻鎖模激光器。
設計獨特的漸變波導、寬波導或非對稱波導結構，改善激光器的特性，降低量子阱激光器的閾值電流密度、增大光學限制因子，提高光束特性和端面光功率密度。設計合理的限制層進一步降低注入到有源區(qū)的一部分載流子通過擴散和漂移的方式越過限制層和波導層界面進入限制層形成的漏電流。量子阱和波導限制層結構的匹配設計，有效提高光電轉(zhuǎn)換效率，降低內(nèi)損耗，減小熱耗。
